Samsung MZ-V9P1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC

Kód: DIASA1SSD0075
8 150 Kč 6 736 Kč bez DPH
Skladem

Detailní informace

Detailní popis produktu

Samsung MZ-V9P1T0 1 TB M.2 PCI Express 4.0 NVMe V-NAND MLC
Velikost disku M.2 SSD 2280 (22 x 80 mm)
Podpora DevSlp (spánek zařízení) Ano
Šifrování/zabezpečení 256-bit AES
Kapacita disku SSD 1 TB
Formát SSD M.2
Náhodné čtení (4 KB) 1200000 IOPS
Komponent pro PC/herní konzole
Rychlost zápisu 6900 MB/s
Hardwarové šifrovaní Ano
Verze NVMe 2.0
Podpora TRIM Ano
Typ paměti V-NAND MLC
Podpora technologie SMART Ano
Náhodný zápis (4 KB) 1550000 IOPS
NVMe Ano
Střední doba mezi poruchami (MTBF) 1500000 h
Rychlost čtení 7450 MB/s
Rozhraní PCI Express 4.0
Spotřeba energie (průměrná) 5,4 W
Spotřeba energie (v klidu) 0,05 W
Provozní napětí 3,3 V
Maximální spotřeba energie 7,8 W
Šířka 80 mm
Výška 24,3 mm
Hmotnost 28 g
Hloubka 8,2 mm
Provozní rozsah teplot (T-T) 0 - 70 °C
Náraz při provozu 1500 G

Doplňkové parametry

Kategorie: SSDs
EAN: 8806094594645
Velikost disku M.2 SSD: 2280 (22 x 80 mm)
Podpora DevSlp (spánek zařízení): Ano
Šifrování/zabezpečení: 256-bit AES
Kapacita disku SSD: 1 TB
Formát SSD: M.2
Náhodné čtení (4 KB): 1200000 IOPS
Komponent pro: PC/herní konzole
Rychlost zápisu: 6900 MB/s
Hardwarové šifrovaní: Ano
Verze NVMe: 2.0
Podpora TRIM: Ano
Typ paměti: V-NAND MLC
Podpora technologie SMART: Ano
Náhodný zápis (4 KB): 1550000 IOPS
NVMe: Ano
Střední doba mezi poruchami (MTBF): 1500000 h
Rychlost čtení: 7450 MB/s
Rozhraní: PCI Express 4.0
Spotřeba energie (průměrná): 5,4 W
Spotřeba energie (v klidu): 0,05 W
Provozní napětí: 3,3 V
Maximální spotřeba energie: 7,8 W
Šířka: 80 mm
Výška: 24,3 mm
Hmotnost: 28 g
Hloubka: 8,2 mm
Provozní rozsah teplot (T-T): 0 - 70 °C
Náraz při provozu: 1500 G