Silicon Power SP016GBSTH010V10SP paměťová karta 16 GB MicroSDHC UHS-I Třída 10
Kód: PAMSLPSDG0001Detailní popis produktu
Silicon Power SP016GBSTH010V10SP paměťová karta 16 GB MicroSDHC UHS-I Třída 10| Barva | Černá |
| Šifrování/zabezpečení | 256-bit AES |
| Ochranné funkce | Odolný proti nárazům, Voděodolný |
| Střední doba mezi poruchami (MTBF) | 1000000 h |
| Napětí paměti | 2.7, 3.6 V, 2.8, 3.3 |
| Hmotnost | 0,6 g |
| Šířka | 15 mm |
| Výška | 1 mm |
| Hloubka | 11 mm |
| Počet kusů v balení | 1 kusů |
| Certifikáty shody | RoHS |
| Kapacita | 16 GB |
| Typ vnitřní paměti | UHS-I |
| Rychlost čtení | 40 MB/s |
| UHS Speed Class (rychlostní třída) | Class 1 (U1) |
| Třída Flash paměťové karty | Třída 10 |
| Typ flash karty | MicroSDHC |
| Provozní rozsah teplot (T-T) | 0 - 70 °C |
| Doporučená provozní relativní vlhkost | 8 - 95% |
| Rozsah teplot při skladování (T-T) | -40 - 85 °C |
| Kód harmonizovaného systému | 85235190 |
| Varování | Nevystavujte vysokým teplotám., Zabraňte kontaktu s vodou a vlhkostí., Skladujte mimo dosah silných zdrojů elektromagnetického záření. |
Doplňkové parametry
| Kategorie: | SecureDigital flash memories |
|---|---|
| EAN: | 4712702618815 |
| Barva: | Černá |
| Šifrování/zabezpečení: | 256-bit AES |
| Ochranné funkce: | Odolný proti nárazům, Voděodolný |
| Střední doba mezi poruchami (MTBF): | 1000000 h |
| Napětí paměti: | 2.7, 3.6 V, 2.8, 3.3 |
| Hmotnost: | 0,6 g |
| Šířka: | 15 mm |
| Výška: | 1 mm |
| Hloubka: | 11 mm |
| Počet kusů v balení: | 1 kusů |
| Certifikáty shody: | RoHS |
| Kapacita: | 16 GB |
| Typ vnitřní paměti: | UHS-I |
| Rychlost čtení: | 40 MB/s |
| UHS Speed Class (rychlostní třída): | Class 1 (U1) |
| Třída Flash paměťové karty: | Třída 10 |
| Typ flash karty: | MicroSDHC |
| Provozní rozsah teplot (T-T): | 0 - 70 °C |
| Doporučená provozní relativní vlhkost: | 8 - 95% |
| Rozsah teplot při skladování (T-T): | -40 - 85 °C |
| Kód harmonizovaného systému: | 85235190 |
| Varování: | Nevystavujte vysokým teplotám., Zabraňte kontaktu s vodou a vlhkostí., Skladujte mimo dosah silných zdrojů elektromagnetického záření. |